Samsung розробила модуль оперативної пам'яті DDR5 об'ємом 1 ТБ

Компанія Samsung оголосила про розробку новогостандарту оперативної пам'яті DDR5, що підтримує інтерфейс CXL і має обсяг до 1 ТБ. На першому етапі нові модулі пам'яті будуть використовуватися в дата-центрах, орієнтованих на виконання завдань, пов'язаних з високошвидкісними операціями (HPC) і розрахунками виробленими на основі штучного інтелекту.

В офіційному прес-релізі компанії Samsungповідомляється, що модуль пам'яті, що підтримує новий стандарт Compute Express Link (CXL), інтегрований з технологією Double Data Rate 5 (DDR5). Нововведення збільшить пропускну здатність серверних систем, забезпечить прискорення обробки даних штучного інтелекту (AI) і високопродуктивних обчислень (HPC) в центрах обробки даних. При цьому CXL при підключенні на основі інтерфейсу PCI Express (PCIe) 5.0 забезпечує між пристроями високошвидкісну зв'язок з малою затримкою.

Також Samsung повідомляє про створення новихтехнологічних рішень для контролерів і програмного забезпечення, що дозволяють розпізнавати новий тип пам'яті процесорам і відеокарт. На сьогодні вже проведені тестові випробування модуля оперативної пам'яті DDR5 на серверах Intel.

Компанія AMD також проявила бажання брати участь в роботі Samsung над наступним поколінням оперативної пам'яті, «що підвищує продуктивність в хмарних і корпоративних дослідженнях».