Samsung dezvoltă RAM de 1 TB DDR5

Samsung a anunțat dezvoltarea unui noumemorie standard DDR5, care acceptă interfața CXL și are o capacitate de până la 1 TB. În prima etapă, noile module de memorie vor fi utilizate în centre de date axate pe îndeplinirea sarcinilor legate de operații de mare viteză (HPC) și calcule bazate pe inteligență artificială.

În comunicatul oficial al Samsungmodulul de memorie, care acceptă noul standard Compute Express Link (CXL), este raportat a fi integrat cu tehnologia Double Data Rate 5 (DDR5). Inovația va crește lățimea de bandă a sistemelor de servere, va accelera procesarea datelor de inteligență artificială (AI) și de înaltă performanță (HPC) în centrele de date. Cu toate acestea, CXL, atunci când este conectat pe baza interfeței PCI Express (PCIe) 5.0, oferă comunicații de mare viteză, cu latență scăzută între dispozitive.

Samsung anunță, de asemenea, crearea de noisoluții tehnologice pentru controlere și software care permit procesorelor și plăcilor video să recunoască un nou tip de memorie. Până în prezent, am testat deja modulul RAM DDR5 pe serverele Intel.

AMD și-a indicat, de asemenea, dorința de a participa la lucrările Samsung privind următoarea generație de RAM pentru „îmbunătățirea performanțelor în cercetarea cloud și a întreprinderii”.