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サムスンはスマートフォン用UFS 2.1 1 TBメモリチップを発表


サムスンは大量の開始を発表しました容量が1テラバイトであるモバイルデバイス用の組み込みチップeUFS 2.1(組み込みユニバーサルフラッシュストレージ)のリリース。この事実自体は興味深いものです。しかし、他に何かがある、新しいバージョンは将来の旗艦ギャラクシーS10 +のトップバージョンを受け取ることになります。

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組み込みフラッシュドライブUFSの生産で1 TBの2.1ボリュームは、5層の5ギガビットフラッシュメモリV-NANDを16層使用します。ディスク容量は約20アナログ、容量は64 GBです。スマートフォン内の場所は、昨年の512 GBモジュールとまったく同じ大きさになります。サイズは11.5 x 13 mmです。このような内蔵フラッシュドライブでは、microSDカードの必要性は単になくなります。


さらに、サムスンのテラバイト目新しさはできます書き込み時に260 MB /秒、読み取り時に1000 MB /秒という驚くべき速度を誇ります。メーカーが保証するように、それは2.5インチSATA SSDの2倍の速さです。 eUFSはスマートフォンのカメラが毎秒960フレームの速度でビデオを録画することを可能にします。

噂によると、値札が付いている最も先端のギャラクシーS10 +1600ユーロは1 TBの内蔵メモリeUFS 2.1だけでなく、1440×3040ピクセルの解像度を持つ6.4インチのスーパーAMOLEDディスプレイとトッププロセッサのExynos 9820 / Snapdragon 855(スマートフォンの販売地域によって異なります)だけでなく、12GBも動作します。公式発表は2月20日に行われます。


ソース:samsung.com

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