La révolution technologique dans la production de cellules solaires (3 photos)

L'énergie moderne cause des dommages irréparablesl'environnement et aggrave la situation écologique de la planète, ce qui encourage les ingénieurs à travailler sur la création de sources d'énergie renouvelables et sûres. La façon la plus prometteuse de produire une «énergie propre» consiste à utiliser un apport quasi illimité de lumière solaire.

Cependant, le processus de création de cellules solairesactuellement imparfait et entrave le développement d'une industrie énergétique prometteuse. Les scientifiques du National Renewable Energy Laboratory (États-Unis) ont signalé une percée qui pourrait réduire considérablement le temps technologique nécessaire pour former la base des panneaux solaires.

Aux premiers stades du développement de l'énergie solairePour la fabrication de LED et de photodétecteurs pour cellules solaires, la méthode d'épitaxie en hydrure de vapeur (HVPE) a été utilisée. En 1980, cette méthode a été remplacée par une méthode MOVPE plus efficace. Aujourd'hui, les scientifiques américains affirment avoir obtenu un résultat positif dans le développement du processus technologique selon la méthode D-HVPE.

Selon les développeurs, l'utilisation du nouveauLa technologie a permis l'introduction d'aluminium dans le réacteur épitaxial en phase vapeur d'hydrure (HVPE) et la croissance de semi-conducteurs de phosphure d'aluminium-indium (AlInP) et de phosphure d'aluminium-gallium-indium (AlGaInP).

Utiliser un nouveau processuspermettra à des dizaines de fois de réduire le temps requis pour la fabrication de panneaux solaires. Si avec la technologie MOVPE traditionnelle pour ce processus cela prend de 60 à 120 minutes, alors selon le nouveau processus technologique D-HVPE, la création d'une cellule solaire prendra environ une minute.

La prochaine étape dans le développement de la technologie D-HVPE,réalisera une efficacité énergétique similaire aux panneaux MOVPE. Le composant le plus important dans ce cas sera l'utilisation d'aluminium plus abordable et moins cher, qui remplace l'arséniure de gallium (GaAs) et le phosphure d'indium gallium (GaInP) actuellement utilisés.

Source: scitechdaily