Samsung desarrolla 1TB DDR5 RAM

Samsung ha anunciado el desarrollo de un nuevomemoria DDR5 estándar, compatible con interfaz CXL y con una capacidad de hasta 1 TB. En una primera etapa, los nuevos módulos de memoria se utilizarán en centros de datos enfocados a realizar tareas relacionadas con operaciones de alta velocidad (HPC) y cálculos basados ​​en inteligencia artificial.

En el comunicado de prensa oficial de SamsungSe informa que el módulo de memoria, que admite el nuevo estándar Compute Express Link (CXL), está integrado con la tecnología Double Data Rate 5 (DDR5). La innovación aumentará el ancho de banda de los sistemas de servidor, acelerará el procesamiento de datos de inteligencia artificial (AI) y computación de alto rendimiento (HPC) en los centros de datos. Sin embargo, el CXL, cuando se conecta según la interfaz PCI Express (PCIe) 5.0, proporciona una comunicación de alta velocidad y baja latencia entre dispositivos.

Samsung también anuncia la creación de nuevosSoluciones tecnológicas para controladores y software que permiten a los procesadores y tarjetas de video reconocer un nuevo tipo de memoria. Hasta la fecha, ya hemos realizado pruebas del módulo RAM DDR5 en servidores Intel.

AMD también ha indicado su voluntad de participar en el trabajo de Samsung sobre la próxima generación de RAM para "mejorar el rendimiento en la investigación empresarial y en la nube".