Gadgets

Η Samsung αναπτύσσει 1TB DDR5 RAM


Η Samsung ανακοίνωσε την ανάπτυξη ενός νέουΠρότυπο μνήμης DDR5 που υποστηρίζει διεπαφή CXL και χωρητικότητα έως 1 TB. Στο πρώτο στάδιο, οι νέες μονάδες μνήμης θα χρησιμοποιηθούν σε κέντρα δεδομένων που εστιάζουν στην εκτέλεση εργασιών που σχετίζονται με λειτουργίες υψηλής ταχύτητας (HPC) και υπολογισμούς με βάση την τεχνητή νοημοσύνη.

Στο επίσημο δελτίο τύπου της SamsungΗ μονάδα μνήμης, η οποία υποστηρίζει το νέο πρότυπο Compute Express Link (CXL), αναφέρεται ότι είναι ενσωματωμένη με τεχνολογία Double Data Rate 5 (DDR5). Η καινοτομία θα αυξήσει το εύρος ζώνης των συστημάτων διακομιστών, θα επιταχύνει την επεξεργασία δεδομένων τεχνητής νοημοσύνης (AI) και υπολογιστών υψηλής απόδοσης (HPC) σε κέντρα δεδομένων. Ωστόσο, το CXL, όταν συνδέεται με βάση τη διεπαφή PCI Express (PCIe) 5.0, παρέχει επικοινωνία υψηλής ταχύτητας και χαμηλού λανθάνοντος χρόνου μεταξύ των συσκευών.


Η Samsung ανακοινώνει επίσης τη δημιουργία νέωντεχνολογικές λύσεις για ελεγκτές και λογισμικό που επιτρέπουν στους επεξεργαστές και τις κάρτες βίντεο να αναγνωρίζουν έναν νέο τύπο μνήμης. Μέχρι σήμερα, έχουμε ήδη δοκιμάσει τη μονάδα RAM DDR5 σε διακομιστές Intel.

Η AMD έχει επίσης δηλώσει την προθυμία της να συμμετάσχει στο έργο της Samsung για την επόμενη γενιά RAM για "βελτίωση της απόδοσης στην έρευνα cloud και επιχειρήσεων".